月: 2010年11月

[ ダイナミック光再構成型ゲートアレイの動的部分再構成の性能評価 ]
渡邊先生のところの学生さん。
ダイナミック光再構成アーキテクチャにおける回折光の影響。
他のビットにいくはずの光が回折してきて記憶に影響を与えるかどうか。
バックグラウンド光が多くても 4.33s は保持できることを確認。悪くない、というか充分。
[ 3次元LSIチップ積層集積技術に期待されるシステム性能の向上 ]
Si貫通ビア。SIP とちがって I/O バッファや ESD 回路を介すことなく、ダイを積層することで SoC みたいなものを簡単につくれるといいいなあ。
消費電力平準化をしないといけない。熱応力とかの問題もあるかな？
ヒートスプレッダによるホットスポットの抑制。
インターポーザ (積層したチップの支持体) は 1um – 10um くらいの配線を使うけど、そのあたりの技術というのは案外いいものがない。感光性ポリイミドを使ってリソグラフィできれいに穴を作ったりできる手法を開発。
試作したやつは差動ストリップラインが載っていて、両端に 20um のパッドがついてる。膜圧をかえてふたつつくった。薄いほうはさすがに特性きついか。20Gbps の eye diagram はいい感じ。
インターポーザのもう一つの役割は電源供給。最近のは電圧変動マージンが小さいので、キャパシタ内蔵したりとかしておる。
ホットスポットを赤外線カメラでリアルタイムで観察したりとか。60fps でみてるけど、これは最終的に msec オーダーまで見られるようにしたい。これはクロックゲーティング云々というよりも、熱の拡散を考えると時間分解能としては msec オーダーということで。
インターポーザの中を差動にするのはなぜ？　→　インターポーザは外につなぐ役割が大きいので、内部で閉じるものはシングルエンドでいいかも。差動のドライバとかはインターポーザに入るのかな？
隣接する層だけを接続するとの、何層もぶち抜くものの製造上の違いとかはあるのか？　→　チップ裏面での配線は難しいし、結局のところあまり製造上の困難さはかわらないかも。バス方式のほうが使う側はやりやすいだろうと思っている。
TSV の長さは10層積んでも1mmくらい。
[疑似SoCを用いた異種デバイス集積ウェハレベルシステムインテグレーション技術]
東芝の山田さん。(がるしあさんではない)
インターポーザ上に CMOS, MEMS などいろいろ、プロセス互換性のないものを混載すると幸せになれる。だけどこれでは小型化に限界がある。
それぞれのウェハを検査したあと切り取って組み合わせて並べ直して樹脂でかためて (ウェハ再構築)、そのあとでさらに微細配線を行う。つまりダイの組み合わせとその間の配線だけ再設計すればいいわけですね。ウェハ再構築と、異種デバイス間配線が問題。
かっこいいぞこれ！
エポキシで固めるときは真空中でやらないといけないんだって・・・
樹脂とチップの膨張係数が違うので熱応力が怖い。エポキシに気泡が入ったりしてもヤバい。
エポキシ樹脂にはたくさん石英のつぶを混ぜており、これで熱応力を減らしている。
配線は line/space が 5um/5um, 2um/2um, 1um/1um など。できてる。
ベアチップで入手できない場合は外から買ってきたパッケージを切って入れる、とかもできちゃうのか・・・いいの？売ってくれなくなりそう・・・
SIPより高くつかない？ → インターポーザがないので実は SIP より安く上がる可能性が高い。回路基板メーカーが生きていけるのは、インターポーザが高いから。
樹脂の部分に TSV を作って3次元化・・・
[FPGAアレイを用いた再構成可能なHPCシステムの評価および高位言語による回路生成]
CPU上で動作させる swObject
FPGA上で動作させる hwObject
hwObject は普通にライブラリとして呼べるのでコードを書く人はあんまり考えなくてもいい。
Impluse C vs 手書き。回路規模は 1.5 倍くらい？
自動生成される回路のインタフェイスはわりと簡単で、自分で書いたものとの組み合わせもできるらしい。
hw/sw のインタフェイスのところは作ったの？（みやじい）→通信ができることを確認した程度です→あとでやりかたをおしえてください
[Ethernetによる疎結合型FPGAクラスタシステムのためのOS機能]
児島先生。
RCSYS-2, RCSYS-2.5
Ethernet (communication) / USB (config) で host と FPGA boards がつながる。
RCSYS-2.5ではFPGAボード16台構成。
むかしの密結合版と同じような環境でプログラムできる。
[先読みヘテロジニアスMDDマシンについて]
決定グラフマシン。決定グラフを評価するのが仕事。
命令はふたつだけで、超速くてちっちゃくて低消費電力。
制御回路（シーケンサ）とかネットワーク機器とか。
BDDは二分岐、MDDは多分岐。
MDDのほうが同じ結果を出すまでのステップ数を減らせる。
BDDは命令長が固定でいい。
HMDDは分岐する数が毎回かわるかもしれないから・・・間接アドレッシングすればいい。
間接アドレッシングだと2回読まなきゃいけないけど、prefetch するようにすればそのオーバーヘッドはわりと隠蔽できる。
prefetch をするアーキテクチャのほうが簡単だった。
HMDD 熱いな。メモリサイズで性能がかわるのか・・・・
[An FPGA Implementation of CRC slicing-by-N algorithm]
CRC の計算は大変らしい。10Gbps とかだと CPU では全然おいついてこないという・・・
V4LX200 を全部使って 60Gbps くらい。同時に処理するビット数を減らせば回路も半分、スループットも半分みたいな感じ。
[タスクの振舞いを考慮した動的部分再構成システム向けスケジューリングの検討]
部分再構成でいろんなタスクを実行。だけど順番が重要。
[シリコンをベースにした光電気融合技術　～ シリコンフォトニクスによる光回路と電子回路の集積 ～]
通信は光、計算は電気、という分業がなされてきたが、そろそろ光がもっと近距離の伝送を担うことになる？
しかし、それをうまくやっていくにはエネルギー密度とコストが重要。チップ内で使うなら超小型化も重要。
そこでシリコンフォトニクス。
シリコンは通信波長帯で高屈折率材料なので、光回路も超小型集積化して低エネルギー化できる。シリコンに電子素子構造を付加して光を直接制御できる。高度な微細加工技術、量産設備などがそろっている。CMOSコンパチブルで作れれば最高っす。
シリコン・リブ導波路 4um くらい。 R=500-100um
シリコン細線導波路 0.5×0.2um くらい。R=2-5um。これが実用化するとほぼ直角に曲げられるし、かなりいいね。
いろいろな素子のシリコン互換化＝CMOSプロセスを通せるようなものにすること (たとえばあんまり製造時に温度あげられないとかね)、が量産で重要。
分岐できたり、光ファイバに接続できたりするようなものができている。が、加工精度がきわめて重要。
波長多重されたのが流れているところからリング共振器とかで特定の波長だけを切り出したりすることができる。
減衰器は導波路の両隣に P/N を作ってやって電流を流せばいいらしい。すごい。でも応答速度がよくないみたい。
変調も同じようなノリでできて高速動作もできるんだけど、サイズやエネルギーが問題。
レーザー光源はけっこう大きな問題。シリコンは基本的に光らないので、なにか貼り付けてやる必要がある。
Intel では Ranman laser on Si を作っている。あるいは日立は Si 極薄膜を使った量子井戸 (QW) で光らせてる。

[LSI配線の課題と光配線]
広島大学の横山先生。
計算はエネルギーを消費するか？
– 可逆演算ならかからない
– 不可逆なら、不要なデータを消去するためのエネルギーが必要
という議論あり。
これだけだとほとんど電気食わないはずだが、実際にはその百億倍とかの電力を食ってる。根本的な原因は直流電源からパルス列を作っていること。これは抵抗を小さくしても応答が速くなるだけで、消費電力は変わらない。
じゃあ交流電源にすればいいかな。on/off だと効率は悪いままだから位相変調すればいい。でも、回路は大きくなるし、高周波になれば電磁波輻射が起きてロスが増える。そもそも効率のよい高周波電源を作るのは難しい。
光なら簡単に変復調も位相差検波もできる。光導波路を作ってやればロスもおきない。
ロジックが 1/3 でクロックとバスの消費電力が 2/3 くらいになるなら、後者を光配線しちゃえばいいのでは？
長距離配線では RC 線路だけだとしんどいのでリピータを入れて波形のナマリをなおしてやる。遅延時間は改善するが電力や面積で不利。伝送線路を使うとCで蓄えたエネルギは再利用できるが、最後の終端抵抗が全部消費しちゃうのでもったいない。
クロック分配用の、伝送線路を用いた定在波発振法というのがある。伝送線路を終端しないで反射させ、発振させる。おもしれー!!! 問題は電磁波輻射。伝送線路は速いんだけど、表皮効果の問題で、微細化すると抵抗が増える。円断面の導波管にすりゃいいんだけど、LSI に使えるように細くすると周波数が光になっちゃう。
光配線もシリコンプロセスで作れるっぽい。四角いやつ。
光配線の特徴
– 広帯域
– 非干渉性 (交差可能)・WDM
– CR がない
– インピーダンスマッチングいらない
など。問題はデバイス技術。
モノリシック光配線 LSI を作っている。
p/n 型光変調器と光プール。光プールにたくさんの p/n 光変調器を向けて、光プールを通じて波長多重通信する。
[LSIチップ光配線開発の現状と課題]
MIRAI-Selete の大橋さん。
1cm 以上だと差動伝送線路 (やっぱりリピータが必要) より光配線のほうがいい。
Serdes で多重化して高速シリアル伝送だと、serdes の消費電力が 200mW とかになるけど、WDM なら受動デバイスだから 0mW !
エレクトロニクスと同じくらいの値段で素子が作れるかとか、結合したところで光の強度が半分になっちゃうとかそういう問題もあり。
オンチップの IP コア間の接続とか。アービトレーションも光でやるといっている人もいるけど、そこは電気のほうが (コスト的に) いいかな、とか。ただしその場合は遅延とかのペナルティがあるので、もうちょっと詰めないと。(というか、こういうのって作ってみないとわかんないのかなあ、と思ったり)
[光配線技術の研究動向と将来展望]
日立の菅原さん。
光トランシーバ (SFPとかの、標準化されたやつ) は7年で1桁小型・省電力化。値段は2桁くらい落ちてる。
Si 変調器とか、CMOS-Ge 集積受信器などが熱い。
40GbE, 100GbE では 10m までが 10Gbps のメタルの束。100m までは MMF (multi-mode fiber) 、それ以上は SMF.
オンチップな話としては、シリコンを直接光らせる、とか。でもこれはちょっと大変そう。
ネットワークとか、バックプレーンとかで使う系のお話が中心。ま、現状で光配線というとそっちのほうが現実的だな。
[半導体製品のESD現象とESD設計技術]
ルネサスの石塚さん。
ESD の研究者は日本にはあんまりいないらしい…
デバイスレベル: 未実装部品の pin to pin や、基板組立時の部品 to 基板 (デバイス破壊が問題)。
システムレベル: モジュールや製品 to 人体など。デバイス破壊だけでなく、誤動作も問題に。
ESDのアレはパッドの下に全部入れるの?
45nm で 30x180um とかのが全部のパッドの下に入る。これはI/Oインタフェイスも含んでいて、ESD対策の部分は 1/3 くらい?